半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个 电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的 杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多

半导体芯片清洗超纯水设备出水水质符合美国ASTM纯水水质标准、我国电子工业部电子级水质技术标准 （18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五级标准）、我国电子工业部高纯水水质试行标准、美国半导体工业用纯水指标、日本集成电路水质标准、国内外大规模集成电路水质标准。

新兴的光电材料生产、加工、清洗；LCD液晶显示屏、PDP等离子显示屏、高品质灯管显像管、微电子工业、 FPC/PCB线路板、电路板、大规模、超大规模集成电路需用大量的高纯水、超纯水清洗半成品、成品。集成电路的集成度越高，对水质的要求也越高，这也对 超纯水处理工艺及产品的简易性、自动化程度、生产的连续性、可持续性等提出了更加严格的要求。

半导体用超纯水工艺：

1、石英砂过滤器—活性炭过滤器—阻垢系统—PH调节系统—精密过滤器→反渗透系统→中间水箱→再生混床→精混合床→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→精密过滤器→用水点（≥18MΩ.CM）(传统工艺)

2、石英砂过滤器—活性炭过滤器—阻垢系统—PH调节系统—精密过滤器→反渗透系统→中间水箱→增压水泵→EDI装置→纯化水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→0.22或0.5μm精密过滤器→用水点（≥18MΩ.CM）(工艺)

3、石英砂过滤器—活性炭过滤器—软水器—精密过滤器→一级反渗透→加药机（PH调节）→中间水箱→二级反渗透（正电荷反渗膜）→纯水箱→纯水泵→EDI装置→紫外线杀菌器→0.22μm精密过滤器→用水点（≥17MΩ.CM）(工艺)

4、石英砂过滤器—活性炭过滤器—阻垢系统—PH调节系统—精密过滤器→反渗透系统→中间水箱→水泵→EDI装置→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→0.22μm精密过滤器→用水点（≥15MΩ.CM）(工艺)

5、石英砂过滤器—活性炭过滤器—阻垢系统—PH调节系统—精密过滤器→反渗透系统→中间水箱→纯水泵→粗混合床→精混合床→紫外线杀菌器→精密过滤器→用水对象 （≥15MΩ.CM）(传统工艺)

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